Por-Si qatlamidagi kristallitlar chegaraviy sirtidagi potensial toʻsiq balandligini kristallit oʻlchami, legirlash konsentratsiyasi va haroratga boʻgʻlanishi sonli usulda tadqiq qilingan. Shuningdek tok tashuvchilar harakatchanligi kristallit oʻlchami, potentsial toʻsiq balandligiga bogʻliqligini hisobga olgan holda por-Si qatlam uchun volt-amper xarakteristikasini turli grafiklari olingan.