Qo‘chqarov Voxobjonova, Xoshimjon Xurshidaxon (2026) GaAs YORUG‘LIK YUTISH KOEFFITSIENTIGA BOSIMNI TA’SIRI. Universal xalqaro ilmiy jurnal, 3 (3.1). pp. 786-790.
69c9660e6583a.pdf
Download (123kB)
Abstract
Ushbu referatda yarimo‘tkazgich materiallarda yorug‘lik yutish koeffitsiyentiga tashqi bosimning ta’siri nazariy jihatdan tahlil qilinadi. Bosim ta’sirida kristall panjarasi parametrlarining o‘zgarishi natijasida energiya zonalari holati, taqiqlangan zona kengligining o‘zgarishi ko‘rib chiqildi. Yorug‘lik yutilishi jarayonining zonalar tuzilishi bilan bog‘liqligi asosida yutilish koeffitsiyentining foton energiyasiga bog‘liqligi tahlil qilinadi. Bosim ta’sirida energiya zonalarining siljishi to‘g‘ridan-to‘g‘ri o‘tishlar energiyasiga qanday ta’sir ko‘rsatishi nazariy modellar yordamida tushuntirildi. Shuningdek, yutilish spektrining siljishi orqali taqiqlangan zona kengligining bosimga bog‘liqligini aniqlash imkoniyatlari ko‘rsatiladi. Olingan nazariy natijalar yarimo‘tkazgich materiallarning optik xossalarini boshqarish hamda optoelektron qurilmalarda qo‘llash nuqtai nazaridan muhim ahamiyatga ega
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Date Deposited: | 05 Jun 2026 11:04 |
| Last Modified: | 05 Jun 2026 11:04 |
| URI: | https://arxiv.universaljournal.uz/id/eprint/296 |
